Componente Electrónico de Memoria MT62F3G32D8DV-023 AAT:B TR Distribuidor Autorizado
Componente Electrónico de Memoria MT62F3G32D8DV-023 AAT:B TR Distribuidor AutorizadoSin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
96 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Componentes de Chips ElectrónicosCaracterísticas
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR5 móvil
-Tensión de alimentación:-
Frecuencia de reloj:4,266 gigahercios
Organización de la memoria:3G por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:lámpara de luz
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
96 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes de Chips Electrónicos
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR5 móvil
-Tensión de alimentación
-
Frecuencia de reloj
4,266 gigahercios
Organización de la memoria
3G por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
lámpara de luz
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
Devolución fácil
2,000 - 4,999 unidades
EUR 4206
>= 5,000 unidades
EUR 2103
Variantes
ElegirEspecificación
MT62F3G32D8DV 023 AAT:B TR
Envío
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