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Componentes Electrónicos Originales: Memoria GD5F1GQ4UEYIGR 8 WDFN con Pad Expuesto

Sin reseñas
EUR 0.4859
100-3,099 unidades
EUR 0.243
≥3,100 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

GD5F1GQ4UEYIGR

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

1Gbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
GD5F1GQ4UEYIGR
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
1Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
PAQUETE/cubierta
8-WDFN con almohadilla expuesta
Serie
-
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NAND
-Tensión de alimentación
2.7V ~ 3.6V
Frecuencia de reloj
120 MHz
Organización de la memoria
128M x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
700µs
Interfaz de memoria
SPI - Quad I/O
Formato de memoria
FLASH

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores