Atributos
NewMarca
IS66WVE4M16EBLL-70BLINúmero de Modelo
no aplicableTipo
Montaje en SuperficieTipo de montaje
NuevoCódigo de fecha de fabricación
64 MbitsVelocidad de datos
Tamaño de la memoria:4M por 16
Lugar del origen:Taiwan, China
Descripción:Circuito integrado 64MBIT 48TFBGA
Tipo de embajaje:Bandeja
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°cápsula (TA)
PAQUETE/cubierta:48-TFGBA
Características:no aplicable
Referencia cruzada:Paralelo
Química de la batería:no aplicable
Tipo de memoria:VOLÁTIL
Interfaz de la memoria:no
Corriente de alimentación (Max):2,7 V ~ 3,6 V
La tecnología:no aplicable
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Tipo de expansión:no aplicable
Autobús direccional:no
Frecuencia de reloj:70 segundos
Organización de la memoria:4m*16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:70 nanos
