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Memoria K6T1008V2E-TF70, Compre Componentes Electrónicos en Línea, Canal del Fabricante

Sin reseñas
EUR 0.8099
720-3,719 unidades
EUR 0.405
≥3,720 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

K6T1008V2E-TF70

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

1Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

SRAM asíncrona lenta 1MB 128Kx8 3.3V

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
K6T1008V2E-TF70
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
1Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
SRAM asíncrona lenta 1MB 128Kx8 3.3V
Tipo de embajaje
Bandeja
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
PAQUETE/cubierta
-
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SRAM - Asíncrona
-Tensión de alimentación
3.3V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
128K x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
70ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
SRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores