Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:MRAM (RAM magnetoresistiva)
-Tensión de alimentación:1,71 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj:108 megahercios
Organización de la memoria:2M por 4
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:-
