Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:ReRAM (RAM Resistiva)
-Tensión de alimentación:1,6 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:10 megahercios
Organización de la memoria:1M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:10 milisegundos
Interfaz de Memoria:interfaz serie
