Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDDR4)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:No Volátil, Volátil
La tecnología:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4
-Tensión de alimentación:1,8 voltios
Frecuencia de reloj:1866 megahercios
Organización de la memoria:512M x 8 (NAND), 128M x 32 (LPDDR4)
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
