Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
128 Gbit (NAND), 8 Gbit (LPDDR3)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:No Volátil, Volátil
La tecnología:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR3
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:933 megahercios
Organización de la memoria:16G x 8 (NAND), 256M x 32 (LPDDR3)
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:MMC, memoria LPDRAM
