Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos Circuito Integrado
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - DDR3
-Tensión de alimentación:1,283 V ~ 1,45 V
Frecuencia de reloj:533 megahercios
Organización de la memoria:1G por 4
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
