Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
288 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:DRAM
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj:400 megahercios
Organización de la memoria:8M por 36
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
