Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
16 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR4 móvil
-Tensión de alimentación:1,06 V ~ 1,17 V
Frecuencia de reloj:2,133 GHz
Organización de la memoria:512M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:18 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
