Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
128 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR5 móvil
-Tensión de alimentación:1,05 voltios
Frecuencia de reloj:3,2 GHz
Organización de la memoria:2G por 64
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
