Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
128 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:1,65 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:16G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:micromembrana
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg
