Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados Electrónicos
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:-
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:32G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:micromembrana
