Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - DDR2
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj:533 megahercios
Organización de la memoria:128M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SSTL_18
