Memoria R1EV58064BTCNBI # Componente Electrónico B2 28 TSSOP, Circuito Integrado en Existencia
Memoria R1EV58064BTCNBI # Componente Electrónico B2 28 TSSOP, Circuito Integrado en ExistenciaPuntuación de la tienda:
5.0
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Atributos
Montaje superficialTipo de montaje
MemoriaAplicación funcional
R1EV58064BTCNBI#B2Número de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
28 TSSOP (0,465", 11,80 mm de ancho)Empaque
Serie:Memoria
describir:Circuito integrado EEPROM 64KBIT PAR 28TSOP I
Organización de Memoria:8K por 8
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:100 nanos
Características clave
Tipo de montaje
Montaje superficial
Aplicación funcional
Memoria
Número de Modelo
R1EV58064BTCNBI#B2
Lugar del origen
China
Marca
Original
Empaque
28 TSSOP (0,465", 11,80 mm de ancho)
Serie
Memoria
describir
Circuito integrado EEPROM 64KBIT PAR 28TSOP I
Organización de Memoria
8K por 8
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
100 nanos
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Devolución fácil
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5251
>= 3,100 unidades
EUR 0.2626
Variantes
ElegirCaracterísticas
R1EV58064BTNCBI # número 2
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