Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes de Chips Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM
-Tensión de alimentación:4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:512 mil x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:55 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
