Memoria S3R4016V1M-XI70T 48 FBGA Componentes Electrónicos Originales Servicio Integral
Sin reseñas
Atributos
MRAM (RAM magnetoresistiva)La tecnología
No volátilTipo de memoria
256K por 16Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta Cortada (CT)
Aplicación:Memoria
Características:Componente Electrónico
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:240 segundos
Interfaz de Memoria:PPI - Paralelo
Características clave
La tecnología
MRAM (RAM magnetoresistiva)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
256K por 16
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta Cortada (CT)
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
240 segundos
Interfaz de Memoria
PPI - Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3,000 unidades
EUR 550
≥ 3,001 unidades
EUR 275
Variantes
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S3R4016V1M XI70T
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