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Componentes Electrónicos de Circuito Integrado W63AH2NBVADE TR 178 VFBGA, Canal del Fabricante

Sin reseñas
EUR206
2,000-4,999 unidades
EUR104
≥5,000 unidades

Código de fecha de fabricación

NUEVO

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

W63AH2NBVADE TR

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

1Gbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA

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Características clave

La tecnología
SDRAM - LPDDR3 móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
32M x 32
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Número de pieza del fabricante
W63AH2NBVADE TR
Marca
Original
Tamaño de la memoria
1Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR)
Temperatura de funcionamiento
-25°C ~ 85°C (TC)
PAQUETE/cubierta
178-VFBGA
Serie
-
-Tensión de alimentación
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj
1.066 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15ns
Interfaz de memoria
HSUL_12
Formato de memoria
DRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores