Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR4 móvil
-Tensión de alimentación:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:1,867 GHz
Organización de la memoria:64M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:18 segundos
Interfaz de Memoria:LVSTL_11
