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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Módulo BSM75GD120DN2BOSA1, Transistores, Componentes de Circuitos Electrónicos, Distribuidor Autorizado

Sin reseñas
EUR 0.68
100-3,099 unidades
EUR 0.3444
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

BSM75GD120DN2BOSA1

Marca

Original

Descripción

IGBT MOD 1200V 103A 520W

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

Módulo

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
BSM75GD120DN2BOSA1
Marca
Original
Descripción
IGBT MOD 1200V 103A 520W
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
Módulo
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Corriente de colector (Ic) (máx.)
103 A
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
1200 V
Corriente de colector de corte (Max)
1.5 mA
Poder-Max
520 W
Tipo IGBT de
-
Configuración
Tres inversor de fase
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
5.1 nF @ 25 V
De entrada
Standard
Termistor NTC
No
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Embalaje
Bandeja
Tipo de IGBT
-
Configuración
Inversor Trifásico
Corriente - Colector (Ic) (Máx)
103 A
Potencia - Máx.
520 W
Entrada
Estándar

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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