Module Transistors Original Electronic Components One-Stop Order GCMX080A120B2H2P 1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG
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Atributos
GCMX080A120B2H2PNúmero de Modelo
Montaje del chasisTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
ModulePackage / Case
Description:1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG
Package:Box
Technology:Silicon Carbide (SiC)
Configuration:4 N-Channel (Full Bridge)
Características clave
Número de Modelo
GCMX080A120B2H2P
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
Module
Description
1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG
Package
Box
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
4 N-Channel (Full Bridge)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 1473
>= 3,100 unidades
EUR 737
Variantes
ElegirCaracterísticas
GCMX080A120B2H2P
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