Bogo Semiconductor CO., Limited

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Componente Electrónico MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP, Servicio Avanzado de Componentes Electrónicos, TPW1R104PB L1XHQ

Sin reseñas

EUR 1.99

1-4,999 unidades

EUR 0.2879

≥5,000 unidades

Cantidad

Características principales

Número de Modelo

TPW1R104PB,L1XHQ

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

Canal N

Embalaje

8-DSOP Avanzado, Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT)

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Características clave

Número de Modelo

TPW1R104PB,L1XHQ

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

Canal N

Embalaje

8-DSOP Avanzado, Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT)

tipo4

FETs individuales, MOSFETs

Descripción

MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP

Serie

U-MOSIX-H

Tipo de FET

Canal N

Tecnología

MOSFET (Óxido Metálico)

Tensión drenador-fuente (Vdss)

40 V

Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25C

120A (Ta)

Tensión de accionamiento (Rds On máx., Rds On mín.)

6V, 10V

Empaque y entrega

Unidades de venta

Artículo individual

Tamaño del paquete

1X1X1 cm

Peso bruto

0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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