Bogo Semiconductor CO., Limited

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Circuito Integrado de Canal N, Chip Ic TPN1200APL L1Q PB-F, Transistor MOSFET de Potencia TSO 8-TSON, Distribuidor Autorizado

Name: Circuito Integrado De Canal N,Chip Ic Tpn1200apl L1q Pb-f,Transistor Mosfet De Potencia Tso 8-tson,Distribuidor Autorizado - Buy Product on Alibaba.com
Brand: Bogo Semiconductor CO., Limited
SKU: 1601987596211
Price: 0.15 USD
Availability: InStock

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EUR 1.30

1-4,999 unidades

EUR 0.1352

≥5,000 unidades

Cantidad

Características principales

Número de Modelo

TPN1200APL,L1Q

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

Canal N

Embalaje

8-TSON Advance (3.1x3.1), Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT)

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Características clave

Número de Modelo

TPN1200APL,L1Q

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

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Aplicación funcional

Canal N

Embalaje

8-TSON Advance (3.1x3.1), Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT)

tipo4

FETs individuales, MOSFETs

Descripción

TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA PB-F TSO

Serie

U-MOSIX-H

Tipo de FET

Canal N

Tecnología

MOSFET (Óxido Metálico)

Tensión drenador-fuente (Vdss)

100 V

Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25C

40A (Tc)

Tensión de accionamiento (Rds On máx., Rds On mín.)

4.5V, 10V

Empaque y entrega

Unidades de venta

Artículo individual

Tamaño del paquete

1X1X1 cm

Peso bruto

0.1 kg

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Circuito Integrado de Canal N, Chip Ic TPN1200APL L1Q PB-F, Transistor MOSFET de Potencia TSO 8-TSON, Distribuidor Autorizado

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