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Transistores Originales NCE30P30K, FETs, Transistor MOSFET de Canal P, 30V 30A 60W, Montaje en Superficie TO-252-2L

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Por SMT (Pedido mínimo: 1 unidad)
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Número de pieza del fabricante

NCE30P30K

Tipo

MOSFET

Marca

original

Tipo de paquete

Montaje superficial

Descripción

Canal P 30V 30A 60W Montaje Superficial TO-252-2L

Lugar del origen

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NCE30P30K
Tipo
MOSFET
Marca
original
Tipo de paquete
Montaje superficial
Descripción
Canal P 30V 30A 60W Montaje Superficial TO-252-2L
Lugar del origen
original
PAQUETE/cubierta
TO-252-2L
Temperatura de funcionamiento
-55℃~+175℃
Serie
-
Código de fecha de fabricación
nuevo
Uso
-
Referencia cruzada
-
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Poder-Max
-
Resistencia Base (R1)
-
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET tipo
-
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
-
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Frecuencia
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Ruido
-
Potencia de salida
-
-Tensión nominal
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Vgs (Max)
-
Tipo IGBT de
-
Configuración
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
-
Termistor NTC
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
-
Tensión de salida-salida
-
-Tensión Offset (Vt)
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Tipo de Transistor
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Marca
Original
Tiempo de almacenamiento
3-5 días
dirección de entrega
Shenzhen
Temperatura de funcionamiento
N/A

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

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PCB(+ desde /Pedido mínimo: 1 unidad)
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