Atributos
NE555DRNúmero de Modelo
JFETTipo
originalMarca
-Tipo de paquete
NE555DR Modelo 555, IC 100kHz 8-SOICDescripción
standardLugar del origen
PAQUETE/cubierta:8-SOIC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie:estándar
d/c:24+
Uso:estándar
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:-
Tipo de Montaje:-
Resistencia Base (R1):-
Resistencia-emisor Base (R2):-
FET característica:-
Tensión de drenador a fuente (Vdss):-
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:-
Rds (Max) @ Id Vgs:-
Vgs (th) (Max) @ Id:-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):-
Frecuencia:-
Corriente nominal (en amperios):-
Ruido:-
Potencia de salida:-
-Tensión nominal:-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):-
Vgs (Max):-
Tipo IGBT de:-
Configuración:-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:-
De entrada:-
Termistor NTC:-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):-
Corriente de drenaje (Id).:-
-Tensión de corte (VGS) @ Id:-
Resistencia-On (RDS):-
Tensión de salida-salida:-
-Tensión Offset (Vt):-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):-
Corriente de Valle Iv):-
Corriente de pico:-
Tipo de Transistor:-
Tipo de montaje:-
