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Chip Transistor NGD8201AG Ic NGD8201

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NGD8201ANT4G

Tipo

NGD8201AG

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NGD8201AG

Tipo de paquete

NGD8201AG

Descripción

estándar

Lugar del origen

Guangdong, China

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Número de pieza del fabricante
NGD8201ANT4G
Tipo
NGD8201AG
Marca
NGD8201AG
Tipo de paquete
NGD8201AG
Descripción
estándar
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
estándar
Serie
estándar
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Uso
NGD8201AG
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
NGD8201AG
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
NGD8201AG
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
NGD8201AG
Resistencia Base (R1)
NGD8201AG
Resistencia-emisor Base (R2)
NGD8201AG
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
estándar
Rds (Max) @ Id Vgs
estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
estándar
Frecuencia
estándar
Corriente nominal (en amperios)
estándar
Ruido
estándar
Potencia de salida
estándar
-Tensión nominal
estándar
Vgs (Max)
estándar
Tipo IGBT de
estándar
Configuración
estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
estándar
De entrada
estándar
Termistor NTC
estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
estándar
Corriente de drenaje (Id).
estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
estándar
Resistencia-On (RDS)
estándar
Tensión de salida-salida
estándar
-Tensión Offset (Vt)
estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
estándar
Corriente de Valle Iv)
estándar
Corriente de pico
estándar
Tipo de Transistor
estándar
Tipo de montaje
estándar
MOQ
1
Origen de producción
original
Precio unitario
Por favor, confírmanos.
Tipo
componentes
Aplicaciones
PCB
Código de fecha de fabricación
NUEVO

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Tamaño del paquete
10X10X10 cm
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0.1 kg

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