





Atributos
STWA48N60M2Número de Modelo
TransistorsTipo
OriginMarca
MOSFET N-CH 600V 42A TO247Descripción
ChinaLugar del origen
PARA-247-3PAQUETE/cubierta
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°c (TJ)
Serie:FETs MOSFETs Transistores FET y MOSFET
d/c:nuevo
Uso:No aplicable
Tipo de Proveedor:No aplicable
Referencia cruzada:No aplicable
Los medios disponibles:No aplicable
Corriente de colector (Ic) (máx.):-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:-
Corriente de colector de corte (Max):No aplicable
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:No aplicable
Poder-Max:300 vatios (Tc)
-Frecuencia de transición:No aplicable
Tipo de Montaje:A través del agujero
Resistencia Base (R1):No aplicable
Resistencia-emisor Base (R2):No aplicable
FET tipo:No aplicable
FET característica:No aplicable
Tensión de drenador a fuente (Vdss):No aplicable
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:No aplicable
Rds (Max) @ Id Vgs:No aplicable
Vgs (th) (Max) @ Id:No aplicable
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:No aplicable
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):No aplicable
Frecuencia:No aplicable
Corriente nominal (en amperios):No aplicable
Ruido:No aplicable
Potencia de salida:No aplicable
-Tensión nominal:No aplicable
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):No aplicable
Vgs (Max):No aplicable
Tipo IGBT de:No aplicable
Configuración:No aplicable
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:No aplicable
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:No aplicable
De entrada:No aplicable
Termistor NTC:No aplicable
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):No aplicable
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):No aplicable
Corriente de drenaje (Id).:No aplicable
-Tensión de corte (VGS) @ Id:No aplicable
Resistencia-On (RDS):No aplicable
Tensión de salida-salida:-
-Tensión Offset (Vt):-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):-
Corriente de Valle Iv):-
Corriente de pico:-
Tipo de Transistor:número de teléfono personal
Tipo de montaje:A través del agujero
Garantía:1 año
Tiempo de almacenamiento:3-5 días
dirección de entrega:shenzhen
















