find similar
≤4h
Tiempo de respuesta

NV25010DWVLT3G EEPROM 1KB SPI SER CMOS EEPROM - Rango de Bajo Voltaje de Funcionamiento

Sin reseñas
EUR 0.4253
1-24 unidades
EUR 0.3819
25-99 unidades
EUR 0.3645
100-999 unidades
EUR 0.3472
≥1,000 unidades

Cantidad

Características principales

Marca

onsemi

Número de pieza del fabricante

NV25010DWVLT3G

Tipo

Memoria EEPROM

Tipo de montaje

SMD/SMT de superficie

Tamaño de la memoria

1 kilobit

Lugar del origen

Other

Envío

Tarifa de envío y fecha de entrega por definir. Chatea con el proveedor para confirmar los detalles.
Subtotal del artículo
EUR 0.00
Total del envío
Por definir
Total antes de impuestos
EUR 0.00

Características clave

Marca
onsemi
Número de pieza del fabricante
NV25010DWVLT3G
Tipo
Memoria EEPROM
Tipo de montaje
SMD/SMT de superficie
Tamaño de la memoria
1 kilobit
Lugar del origen
original
Descripción
EEPROM 1KB SPI SER CMOS EEPROM - RANGO DE VCC BAJO
Tipo de embajaje
Carrete, Cinta Cortada
Función
estándar
Aplicación
estándar
Temperatura de funcionamiento
- 40°C-+125°C
PAQUETE/cubierta
SOIC-8
Serie
NV25010LV NV25010LV NV25010LV
Características
estándar
Referencia cruzada
estándar
Química de la batería
estándar
Tipo de memoria
Memoria EEPROM
Interfaz de la memoria
conexión SPI
Corriente de alimentación (Max)
2 milíamperos
La tecnología
EEPROM
-Tensión de alimentación
1,7 V-5,5 V
Frecuencia de reloj
20 megahercios
Organización de la memoria
128x8

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores