NV25080DWVLT3G EEPROM 8KB SPI SER CMOS EEPROM SOIC8 - Rango de VCC Bajo
Sin reseñas
Atributos
EEPROMLa tecnología
Memoria EEPROMTipo de memoria
conexión SPIInterfaz de la memoria
1 mil millones x 8Organización de la memoria
SMD/SMT de superficieTipo de montaje
Memoria EEPROMTipo
Número de pieza del fabricante:NV25080DWVLT3G
Marca:onsemi
Tamaño de la memoria:8 kilobit
Lugar del origen:original
Descripción:EEPROM 8KB SPI SER CMOS EEPROM SOIC8 - RANGO DE VCC BAJO
Tipo de embajaje:Carrete, Cinta Cortada
Función:estándar
Aplicación:estándar
Temperatura de funcionamiento:- 40°C-+125°C
PAQUETE/cubierta:SOIC-8
Serie:NV25080LV NV25080LV
Características:estándar
Corriente de alimentación (Max):3 milíamperos
-Tensión de alimentación:1,7 V-5,5 V
Frecuencia de reloj:20 megahercios
Características clave
La tecnología
EEPROM
Tipo de memoria
Memoria EEPROM
Interfaz de la memoria
conexión SPI
Organización de la memoria
1 mil millones x 8
Tipo de montaje
SMD/SMT de superficie
Tipo
Memoria EEPROM
Número de pieza del fabricante
NV25080DWVLT3G
Marca
onsemi
Tamaño de la memoria
8 kilobit
Lugar del origen
original
Descripción
EEPROM 8KB SPI SER CMOS EEPROM SOIC8 - RANGO DE VCC BAJO
Tipo de embajaje
Carrete, Cinta Cortada
Función
estándar
Aplicación
estándar
Temperatura de funcionamiento
- 40°C-+125°C
PAQUETE/cubierta
SOIC-8
Serie
NV25080LV NV25080LV
Características
estándar
Corriente de alimentación (Max)
3 milíamperos
-Tensión de alimentación
1,7 V-5,5 V
Frecuencia de reloj
20 megahercios
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
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EUR 0.4776
25 - 99 unidades
EUR 0.4255
100 - 999 unidades
EUR 0.4081
≥ 1,000 unidades
EUR 0.3821
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Total antes de impuestos
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