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Transistores NVATS5A114PLZT4G ATPAK, Compre Componentes Electrónicos en Línea, Disponibles en Stock

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Características principales

Número de pieza del fabricante

NVATS5A114PLZT4G

Marca

Original

Descripción

MOSFET CANAL P 60V 60A ATPAK

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

ATPAK

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NVATS5A114PLZT4G
Marca
Original
Descripción
MOSFET CANAL P 60V 60A ATPAK
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
ATPAK
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
60 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
60A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
16mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
4000 pF @ 20 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

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