Atributos
NVLJS053N12MCLTAGNúmero de Modelo
MOSFETTipo
OriginalMarca
Montaje superficialTipo de paquete
Factory spot supply BOM list serviceDescripción
OriginalLugar del origen
PAQUETE/cubierta:6-UDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie:Discrete Semiconductor
d/c:-
Uso:MOSFETs Transistors
Tipo de Proveedor:Other
Poder-Max:620mW (Ta)
FET tipo:N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss):120 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:4.8A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs:53mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 30A
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:7.8 nC @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):4.5V, 10V
Vgs (Max):±20V
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:520 pF @ 60 V
Brand Name:Original Brand
Package:SMD-DIP
Type:Transistors
Lead time:24 hours
Service:PCBA/PCB/SMT/Bom List
