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Módulo de Transistores NXH200B100H4F2SG-R, Compre Componentes Electrónicos en Línea, en Stock

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Número de pieza del fabricante

NXH200B100H4F2SG-R

Marca

Original

Descripción

1500V F2 BOOST PARA PIM SOLAR

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

Módulo

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NXH200B100H4F2SG-R
Marca
Original
Descripción
1500V F2 BOOST PARA PIM SOLAR
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
Módulo
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Corriente de colector (Ic) (máx.)
100 A
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
1000 V
Corriente de colector de corte (Max)
200 µA
Poder-Max
93 W
Tipo IGBT de
Trench Field Stop
Configuración
Tres nivel inversor
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
6523 pF @ 20 V
De entrada
Standard
Termistor NTC
Sí
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Embalaje
Bandeja
Tipo de IGBT
Parada de campo de trinchera
Configuración
Inversor de Tres Niveles
Corriente - Colector (Ic) (Máx)
100 A
Potencia - Máx.
93 W
Entrada
Estándar

Empaque y entrega

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Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
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0.100 kg

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