Shenzhen Box Optronics Technology Co., Limited

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Diodo Láser DFB de Ancho de Línea Estrecho 1550nm 5mW con Pigtail Coaxial, TEC y FC/UPC para Detección

Name: Diodo Láser DFB de Ancho de Línea Estrecho 1550nm 5mW con Pigtail Coaxial, TEC y FC/UPC para Detección
Brand: Shenzhen Box Optronics Technology Co., Limited
SKU: 1601734862080
Price: 334 USD
Availability: InStock

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EUR28998

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Características

BLD-ND5502H-IFA(TEC)

Opciones de personalización

Logotipo personalizado (Pedido mínimo: 1,000 unidades)

Embalaje personalizado (Pedido mínimo: 1,000 unidades)

Personalización gráfica (Pedido mínimo: 1,000 unidades)

Características principales

Tipo de montaje

otro

Número de pieza del fabricante

BLD-ND5502H-IFA(TEC)

Marca

BOX

Descripción

Tecnología de fabricación de láseres DFB de semiconductores basados en InP

Tipo

Otro

Lugar del origen

Guangdong, China

Envío

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Características clave

Tipo

Otro

Potencia máxima

otro

Velocidad

Grado estándar de producción en masa industrial

Tipo de paquete

Otro

Tipo de montaje

otro

Tipo de diodo

DFB Diodo Láser / FP Diodo Láser / Fotoavalancha

Configuración

Hermetico TO56/TO-CAN, ventana plana

La tecnología

InAlGaAs DFB sin refrigeración / GaAs FP / InGaAs APD

Uso

Telecomunicaciones, Comunicaciones de Datos, SAN / Indicación, Lápiz Óptico, P

Los medios disponibles

Ficha técnica del producto

Tipo de Proveedor

Nuevo original en stock

Descripción

Tecnología de fabricación de láseres DFB de semiconductores basados en InP

Número de pieza del fabricante

BLD-ND5502H-IFA(TEC)

Marca

BOX

Lugar del origen

Guangdong, China

Paquete / Carcasa

otro

Tensión de paso máx.

DFB: 1.5V; FP: 2.5V; 10G DFB: 1.5V

Voltaje inverso máx.

DFB(LD):2V; (PD):15V; FP:2V; APD:30V; 10G DFB: LD2

Corriente directa máx.

2.5G DFB: 120mA; FP: 105mA; APD: 10mA; 10G DFB: 100mA

Corriente inversa máx.

≤100nA; Corriente oscura del APD: 0.5nA (Máx.)

Tensión inversa de pico (máx.)

Igual que "Voltaje Máximo Inverso"

Actual promedio rectificado (Io)

Corriente de funcionamiento típica del láser: 50-65 mA

Configuración de diodo

Chip láser DFB con fotodiodo de monitoreo InGaAs integrado

Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.)

2V, Monitor PD: 15V

Actual promedio rectificado (Io) (por diodo)

Corriente de funcionamiento del diodo láser ~50mA

Capacitancia Vr F

No aplicable

Corriente - Máx.

Chip DFB con PD/FP LD integrado (PD opcional)

Resistencia @ si F

APD: 0.6pF (Típ.)@5V, 1MHz

Disipación de potencia (Max)

Calculado: DFB<0.3W, FP<0.2W

Capacitancia relación

No aplicable

Impedancia (Max) (Zzt)

otro

Tipo de producto

Láser DFB de 2.5G/10G / Láser FP de 650nm / Módulo APD Coaxial

Longitud de onda

DFB: 1270-1610nm / FP: 650nm / APD: 1100-1650nm

Potencia óptica

2.5G DFB: 5mW / 10G DFB: 2-2.5mW / FP: 5mW

Aplicación

Telecomunicaciones, Comunicación de Datos / Indicación / Receptor Analógico

Característica clave

Alta SMSR / Sin refrigeración / Paquete hermético / Alta fiabilidad

Embalaje

TO56 CAN (DFB) / TO-18 Pigtail (FP) / Coaxial FC/APC

Temperatura de funcionamiento

DFB: -20~85℃ / FP: -10~80℃ / APD: -40~85℃

Tensión directa

DFB: ~1.2V / FP: ~2.1V / APD: N/A

Monitor de PD

Integrado (DFB) / Opcional (FP) / N/A (APD)

Corriente máxima

LD: 100-120mA / APD: 10mA

Empaque y entrega

Unidades de venta

Artículo individual

Tiempo de entrega

Opciones de personalización

Logotipo personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)

Embalaje personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)

Personalización gráfica(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)

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