


Atributos
FGH60N60SMDNúmero de Modelo
IGBT TransistorTipo
Origianl BrandMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
FGH60N60SMDDescripción
Hong Kong S.A.R.Lugar del origen
PAQUETE/cubierta:Estándar
Temperatura de funcionamiento:-50 °C ~ 150 °C
d/c:Más reciente
Uso:Convertidores de frecuencia
Tipo de Proveedor:Fabricante original, ODM, Agencia
Los medios disponibles:Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
Tipo de Montaje:A través del agujero
Tipo de montaje:A través del agujero
Estilo de montaje:A través del agujero
Paquete/caso::TO-247
Tensión Colector-Emisor VCEO Max:250 V
Voltaje VCBO DE LA Colector-base:250 V
Emisor-Voltaje base VEBO:5 V
Voltaje de saturación del colector-emisor:400 mV














