find similar
HK SMARTCHIP VOYAGE TECHNOLOGY LIMITED logo
HK SMARTCHIP VOYAGE TECHNOLOGY LIMITED
HK1 año
4.9/5(23)
Calificación de la tienda
≤3h
Tiempo de respuesta
≥100%
Tasa de entregas a tiempo
14%
Tasa de recompra

Principales mercados: República de Corea, Canadá, Estados Unidos de América, Nigeria, Uganda

Evaluación de proveedoresGenerar informe

Nuevo Transistor MOSFET Original IRF3205PBF TO-220 de Canal N, 55V/110A, de Montaje a Placa

Sin reseñasbillboard#15 populares en Transistores con controlador de puerta
EUR 0.2159
1-499 unidades
EUR 0.1979
≥500 unidades
Características

Características principales

Número de pieza del fabricante

IRF3205PBF

Tipo

MOSFET

Marca

Other

Tipo de paquete

Agujero de labranza

Descripción

Circuitos integrados (IC)

Lugar del origen

Taiwan, China

Más análisis e investigación sobre este producto
Calcular el costo y el margen
Shipping
Select shipping

Protección de pedidos de Alibaba.com

Pagos seguros

Todos tus pagos realizados en Alibaba.com están protegidos por cifrado SSL y protocolos de protección de datos PCI DSS

Devoluciones fáciles

Realiza devoluciones locales gratuitas por defectos en compras elegibles

Garantía de devolución de dinero

Solicita un reembolso si tu pedido no se envía, no llega o hay defectos en el producto

Solo los pedidos realizados y pagados a través de Alibaba.com reciben la protección gratuita de

Pagos y financiación

4 pagos sin intereses con

Véndelo en tu tienda con dropshipping

···

Características clave

Número de pieza del fabricante
IRF3205PBF
Tipo
MOSFET
Marca
Other
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Descripción
Circuitos integrados (IC)
Lugar del origen
Taiwan, China
PAQUETE/cubierta
TO-220
Código de fecha de fabricación
2025+
Uso
Controlador MOSFET
Tipo de Proveedor
MOSFET
Los medios disponibles
MOSFET
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
Estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Estándar
Resistencia Base (R1)
Estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
Estándar
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Estándar
Rds (Max) @ Id Vgs
Estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Estándar
Frecuencia
Estándar
Corriente nominal (en amperios)
Estándar
Ruido
Estándar
Potencia de salida
Estándar
-Tensión nominal
Estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Estándar
Vgs (Max)
Estándar
Tipo IGBT de
Estándar
Configuración
Estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Estándar
De entrada
Estándar
Termistor NTC
Estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Estándar
Corriente de drenaje (Id).
Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Estándar
Resistencia-On (RDS)
Estándar
Tensión de salida-salida
Estándar
-Tensión Offset (Vt)
Estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Estándar
Corriente de Valle Iv)
Estándar
Corriente de pico
Estándar
Tipo de montaje
A través del agujero

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
14.00X15.00X3.00 cm
Peso bruto
0.01 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Reportar actividad sospechosa
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores