Nuevo Transistor IGBT IXYS IXFH12N120P Original N Channel 1,2 KV 12A 1,35 Ohm TO-247 Agujero pasante 1,15 Rds

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Story Enterprise Limited

3 años

HK

Atributos

IXFH12N120PNúmero de Modelo

IGBT TransistorTipo

IXYSMarca

Agujero de labranzaTipo de paquete

MOSFETs 12 Amps 1200V 1.15 RdsDescripción

United StatesLugar del origen

PAQUETE/cubierta:Tube

Temperatura de funcionamiento:- 55 C~155

Serie:IXFH12N120

Tipo de montaje:A través del agujero

Payment:Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance

Características clave

Número de Modelo

IXFH12N120P

Tipo

IGBT Transistor

Marca

IXYS

Tipo de paquete

Agujero de labranza

Descripción

MOSFETs 12 Amps 1200V 1.15 Rds

Lugar del origen

United States

PAQUETE/cubierta

Tube

Temperatura de funcionamiento

- 55 C~155

Serie

IXFH12N120

Tipo de montaje

A través del agujero

Payment

Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance

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24.00X18.00X16.00 cm

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