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Nuevo Transistor MOSFET de Carburo de Silicio Infineon IRF640NPBF, 200V 18A 150mOhm, Encapsulado TO-220-3, Tipo Through Hole, FET Individual

Sin reseñas
EUR 1.17
1-99 unidades
EUR 0.5396
100-499 unidades
EUR 0.4497
≥500 unidades
Características
Opciones de personalización
Logotipo (Pedido mínimo: 1.000 unidades)
Por Pattem (Pedido mínimo: 1.000 unidades)
Cartón de empaquetado (Pedido mínimo: 1.000 unidades)

Características principales

Número de pieza del fabricante

IRF640NPBF

Tipo

TRANSISTOR

Tipo de paquete

Agujero de labranza

Descripción

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

Lugar del origen

Other

PAQUETE/cubierta

TO-220-3

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IRF640NPBF
Tipo
TRANSISTOR
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Descripción
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Lugar del origen
taiwan
PAQUETE/cubierta
TO-220-3
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
IRF640NPBF
Código de fecha de fabricación
10V
Uso
Industrial
Tipo de Proveedor
Agencia
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.)
35A
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
35 nC @ 15 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
78mOhm @ 20A, 15V
Corriente de colector de corte (Max)
35A (Tc)
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
3.5V @ 5mA
Poder-Max
113.5 W
-Frecuencia de transición
5011 pF
FET tipo
MOSFETs
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
IRF640NPBF
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
IRF640NPBF
Rds (Max) @ Id Vgs
IIRF640NPBF
Vgs (th) (Max) @ Id
IRF640NPBF
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
IRF640NPBF
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
IRF640NPBF
Frecuencia
IRF640NPBF
Corriente nominal (en amperios)
IRF640NPBF
Ruido
IRF640NPBF
Potencia de salida
IRF640NPBF
-Tensión nominal
IRF640NPBF
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
IRF640NPBF
Vgs (Max)
IRF640NPBF
Tipo IGBT de
IRF640NPBF
Configuración
SOLO
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
IRF640NPBF
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
IRF640NPBF
De entrada
IRF640NPBF
Termistor NTC
IRF640NPBF
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
IRF640NPBF
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
IRF640NPBF
Corriente de drenaje (Id).
IRF640NPBF
-Tensión de corte (VGS) @ Id
IRF640NPBF
Resistencia-On (RDS)
IRF640NPBF
Tensión de salida-salida
IRF640NPBF
-Tensión Offset (Vt)
IRF640NPBF
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
IRF640NPBF
Corriente de Valle Iv)
IRF640NPBF
Corriente de pico
IRF640NPBF
Tipo de Transistor
SiC MOSFETs
Tipo de montaje
A través del agujero
Type
Field-Effect Transistor
Package / Case
TO-220-3
Series
STripFE
D/C
Newest
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Package
Reel
Configuration
Single
Product Name
Transistor IC Electronic Component
Shipping BY
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Service
Bom List

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

Tiempo de entrega

Opciones de personalización

Logotipo(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Por Pattem(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Cartón de empaquetado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
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