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Nuevo Original Infineon IRF640NPBF MOSFET-s MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC Transistores FET, MOSFET s FET individuales, En stock

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Atributos

IRF640NPBFNúmero de Modelo
TRANSISTORTipo
Agujero de labranzaTipo de paquete
N-CH MOSFET 200V 18A TO220ABDescripción
taiwanLugar del origen
TO-220-3PAQUETE/cubierta
Temperatura de funcionamiento:-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Serie:IRF640NPBF
d/c:10V
Uso:Industrial
Tipo de Proveedor:Agencia
Los medios disponibles:Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.):35A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):35 nC @ 15 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:78mOhm @ 20A, 15V
Corriente de colector de corte (Max):35A (Tc)
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:3,5 V @ 5mA
Poder-Max:113,5 W
-Frecuencia de transición:5011 pF
Tipo de Montaje:A través del agujero
FET tipo:MOSFETs
FET característica:Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss):IRF640NPBF
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:IRF640NPBF
Rds (Max) @ Id Vgs:IIRF640NPBF
Vgs (th) (Max) @ Id:IRF640NPBF
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:IRF640NPBF
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):IRF640NPBF
Frecuencia:IRF640NPBF
Corriente nominal (en amperios):IRF640NPBF
Ruido:IRF640NPBF
Potencia de salida:IRF640NPBF
-Tensión nominal:IRF640NPBF
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):IRF640NPBF
Vgs (Max):IRF640NPBF
Tipo IGBT de:IRF640NPBF
Configuración:SOLO
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:IRF640NPBF
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:IRF640NPBF
De entrada:IRF640NPBF
Termistor NTC:IRF640NPBF
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):IRF640NPBF
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):IRF640NPBF
Corriente de drenaje (Id).:IRF640NPBF
-Tensión de corte (VGS) @ Id:IRF640NPBF
Resistencia-On (RDS):IRF640NPBF
Tensión de salida-salida:IRF640NPBF
-Tensión Offset (Vt):IRF640NPBF
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):IRF640NPBF
Corriente de Valle Iv):IRF640NPBF
Corriente de pico:IRF640NPBF
Tipo de Transistor:MOSFETs de SiC
Tipo de montaje:A través del agujero
Tipo:Transistor de efecto de campo
Paquete/caso:TO-220-3
Serie:StripFE
D/C:Más reciente
Pago:Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
Paquete:Carrete
Configuración:Soltero
Nombre del producto:Transistor IC Componente electrónico
Envío POR:DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
Servicio:Lista de Bom
Unidades de venta:Artículo individual

Características clave

Número de Modelo
IRF640NPBF
Tipo
TRANSISTOR
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Descripción
N-CH MOSFET 200V 18A TO220AB
Lugar del origen
taiwan
PAQUETE/cubierta
TO-220-3
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Serie
IRF640NPBF
d/c
10V
Uso
Industrial
Tipo de Proveedor
Agencia
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.)
35A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
35 nC @ 15 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
78mOhm @ 20A, 15V
Corriente de colector de corte (Max)
35A (Tc)
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
3,5 V @ 5mA
Poder-Max
113,5 W
-Frecuencia de transición
5011 pF
Tipo de Montaje
A través del agujero
FET tipo
MOSFETs
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
IRF640NPBF
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
IRF640NPBF
Rds (Max) @ Id Vgs
IIRF640NPBF
Vgs (th) (Max) @ Id
IRF640NPBF
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
IRF640NPBF
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
IRF640NPBF
Frecuencia
IRF640NPBF
Corriente nominal (en amperios)
IRF640NPBF
Ruido
IRF640NPBF
Potencia de salida
IRF640NPBF
-Tensión nominal
IRF640NPBF
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
IRF640NPBF
Vgs (Max)
IRF640NPBF
Tipo IGBT de
IRF640NPBF
Configuración
SOLO
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
IRF640NPBF
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
IRF640NPBF
De entrada
IRF640NPBF
Termistor NTC
IRF640NPBF
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
IRF640NPBF
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
IRF640NPBF
Corriente de drenaje (Id).
IRF640NPBF
-Tensión de corte (VGS) @ Id
IRF640NPBF
Resistencia-On (RDS)
IRF640NPBF
Tensión de salida-salida
IRF640NPBF
-Tensión Offset (Vt)
IRF640NPBF
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
IRF640NPBF
Corriente de Valle Iv)
IRF640NPBF
Corriente de pico
IRF640NPBF
Tipo de Transistor
MOSFETs de SiC
Tipo de montaje
A través del agujero
Tipo
Transistor de efecto de campo
Paquete/caso
TO-220-3
Serie
StripFE
D/C
Más reciente
Pago
Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
Paquete
Carrete
Configuración
Soltero
Nombre del producto
Transistor IC Componente electrónico
Envío POR
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
Servicio
Lista de Bom

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Por Pattem (Pedido mínimo: 1,000 unidades)
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