Nuevo Circuito Integrado de Memoria FLASH NAND Original NAND512R3A2SZA6E de Micron, 512 Mbit, Paralelo, 50 ns, 63-TFBGA, Montaje Superficial, Chips Electrónicos

Puntuación de la tienda: 4.7

(317 reseñas)

Story Enterprise Limited

3 años

HK

Atributos

Micron Technology Inc.Marca

NAND512R3A2SZA6ENúmero de Modelo

flash icTipo

Surface MountTipo de montaje

NAND512R3A2SZA6ECódigo de fecha de fabricación

United StatesLugar del origen

Descripción:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA

Tipo de embajaje:Tray

Función:Memory

Aplicación:FLASH - NAND Memory IC

Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)

PAQUETE/cubierta:63-TFBGA

Serie:NAND512R3A2SZA6E

Características:NAND512R3A2SZA6E

Referencia cruzada:NAND512R3A2SZA6E

Química de la batería:NAND512R3A2SZA6E

Quality:100% Original 100% Brand

Condition:100% Original Brand

Part number:MT25QL256ABA1EW9

Package:Original Packages

Payment:Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance Etc

STANDARD:NAND512R3A2SZA6E

Warranty:One Year

LEAD TIME(Delivery Time):1-3days

Product Name:Integrated

MOQ:10 Pcs

Características clave

Marca

Micron Technology Inc.

Número de Modelo

NAND512R3A2SZA6E

Tipo

flash ic

Tipo de montaje

Surface Mount

Código de fecha de fabricación

NAND512R3A2SZA6E

Lugar del origen

United States

Descripción

IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA

Tipo de embajaje

Tray

Función

Memory

Aplicación

FLASH - NAND Memory IC

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)

PAQUETE/cubierta

63-TFBGA

Serie

NAND512R3A2SZA6E

Características

NAND512R3A2SZA6E

Referencia cruzada

NAND512R3A2SZA6E

Química de la batería

NAND512R3A2SZA6E

Quality

100% Original 100% Brand

Condition

100% Original Brand

Part number

MT25QL256ABA1EW9

Package

Original Packages

Payment

Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance Etc

STANDARD

NAND512R3A2SZA6E

Warranty

One Year

LEAD TIME(Delivery Time)

1-3days

Product Name

Integrated

MOQ

10 Pcs

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Personalizable

1 - 1999 unidades

EUR 256

2000 - 4999 unidades

EUR 239

>= 5000 unidades

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Precio de muestra:EUR 2.56

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