






Atributos
PDP8980Número de Modelo
Transistor BipolarTipo
PotensMarca
Agujero de labranzaTipo de paquete
DP8980 Transistor TO-220 180A 80V 278W 3.2mOhmDescripción
taiwanLugar del origen
PAQUETE/cubierta:Pipe
Los medios disponibles:Hoja de Datos
FET característica:Carburo de silicio (SiC)
Tipo de montaje:A través del agujero
Unidades de venta:Artículo individual














