Atributos
brandedMarca
BN35-5B225HB-50Número de Modelo
Montaje en superficie (SMT)Tipo de montaje
BN35-5B225HB-50 # BECódigo de fecha de fabricación
Guangdong, ChinaLugar del origen
Componente y parteTipo
Descripción:32K x 8 bits CMOS RAM estática,
Aplicación:Electrónico
Serie:BN35-5B225HB-50Series
Características:32K x CMOS SRAM de 8 bits, acceso 55ns, baja espera
Aplicación funcional:Inteligencia artificial/aprendizaje de la máquina
Voltaje de salida:+ 5V ± 10%
Tipo de salida:CMOS
Tipo de producto:RAM estática
Organización:32K x 8 bits (262.144 bits en total)
Tipo de paquete:28-PIN TSOP (pequeño paquete fino del esquema)
Estilo de plomo:Curva normal (tipo DVP)
Voltaje de suministro:+ 5V ± 10%
Tiempo de acceso:55ns
Niveles de tensión de entrada:Compatible con TTL
Tipo de salida:Tri-estado digital
Rango de temperatura de funcionamiento:0 °C A + 70 °C
Rango de temperatura de almacenamiento:Rango de temperatura de almacenamiento
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):Nivel 3 (168 horas)
Estado de RoHS:No aplicable
Estado de REACH:Proveedor no definido
Recuento de Pin:28
Tipo de montaje:Montaje en superficie
Dimensiones del paquete:Estándar de TSOP
No se requiere reloj:Operación completamente estática
No es necesario refrescar:A diferencia de la DRAM
Capacidad de respaldo de la batería:Sí
Retención de datos:Apoyado en la Baja Tensión
Condición:Original 100%
Garantía:1 año
Forma de envío:DHL \ UPS \ Fedex \ TNT \ EMS
Envío por:DHL \ UPS \ FEDEX \ EMS
