Atributos
BrandedMarca
M5M44256BJ8Número de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
8-01-2023Código de fecha de fabricación
Guangdong, ChinaLugar del origen
Componente y parteTipo
Descripción:(262.144 4) DRAM rápida del modo de la página, acceso de 80 NS, C
Aplicación:Electronoic
Serie:M5M44256B series
Características:Optimizado para lecturas/escrituras secuenciales rápidas, de
Aplicación funcional:Protección del circuito
Voltaje de salida:4,5 V a 5,5 V
Tipo de salida:Estándar
Tipo:1 M bit Fast Page Mode RAM dinámica DRAM
Serie:Serie de M5M44256B
Número de parte:M5M44256BJ 8
Tipo de memoria:DRAM dinámica RAM
Modo de acceso:Modo de página rápida
Densidad de memoria:1M bit total
Organización:262 144 palabras 4 bits
Longitud de la palabra:4 bits
Tipo de paquete:DIP doble en línea paquete
Recuento de Pin:18 pins
Aplicaciones:Tarjetas gráficas Ordenadores
Montaje:A través del agujero
Grado de velocidad:8 80 NS tiempo de acceso
Tipo de lógica:Cmos
Voltaje de suministro:Voltaje de suministro
Alto voltaje de la salida:24 V 5 mA
Baja tensión de salida:04 V 4 mA
Disipación de potencia:Bajo debido al proceso de CMOS
Métodos de actualización:RAS sólo CASantes de RAS Actualización oculta
Activar salida:3 salidas de Estado para compartir el bus
Temperatura de funcionamiento:0 C a 70 C comercial
Temperatura de almacenamiento:55 C a 125 C
Tiempo de acceso:80 NS máx.
Tiempo de ciclo:150 NS
Tiempo de ciclo Modo de página:50 NS
Retención de datos:Requiere actualización periódica
Condición:Original 100%
Garantía:1 año
Envío por:DHL \ UPS \ FEDEX \ EMS
Pago:Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
