Transistor MOSFET de Potencia RF ORIGINAL RD15HVF1-101, Canal N, 75V 80A, TO-220, -55C~150C
Puntuación de la tienda:
4.6
(11 reseñas)
Atributos
MOSFETTipo
Controlador MOSFETUso
Through HoleTipo de paquete
A través del agujeroTipo de montaje
FotoLos medios disponibles
OtherTipo de Proveedor
PAQUETE/cubierta:TO-220
Descripción:MOSFET
Número de pieza del fabricante:RD15HVF1-101
Marca:ORIGINAL
Lugar del origen:Japan
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie:Electronic Components
Código de fecha de fabricación:Newest
Referencia cruzada:Transistor
FET tipo:N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss):75V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:80A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs:11mOhm @@ 40A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @@ 250ua
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:160nC @@ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):3700pF @@ 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):10V
Vgs (Max):±20V
Características clave
Tipo
MOSFET
Uso
Controlador MOSFET
Tipo de paquete
Through Hole
Tipo de montaje
A través del agujero
Los medios disponibles
Foto
Tipo de Proveedor
Other
PAQUETE/cubierta
TO-220
Descripción
MOSFET
Número de pieza del fabricante
RD15HVF1-101
Marca
ORIGINAL
Lugar del origen
Japan
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
Electronic Components
Código de fecha de fabricación
Newest
Referencia cruzada
Transistor
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
75V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
11mOhm @@ 40A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @@ 250ua
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
160nC @@ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3700pF @@ 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Through Hole
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
20X20X5 cm
Peso bruto
0.500 kg
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