SANNY TECH LIMITED

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Servicio Integral X1-DFN1006-3 N-Channel DMN21D2UFB-7B MOSFET N-CH 20V 760MA Fabricante de Componentes Electrónicos

Sin reseñas

EUR 0.1269

1-9,999 unidades

EUR 0.0272

≥10,000 unidades

Cantidad

Características principales

Número de Modelo

DMN21D2UFB-7B

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

Canal N

Embalaje

X1-DFN1006-3, Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT)

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Características clave

Número de Modelo

DMN21D2UFB-7B

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

Canal N

Embalaje

X1-DFN1006-3, Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT)

tipo4

FETs individuales, MOSFETs

Descripción

MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN

Tipo de FET

Canal N

Tecnología

MOSFET (Óxido Metálico)

Tensión drenador-fuente (Vdss)

20 V

Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25C

760mA (Ta)

Tensión de accionamiento (Rds On máx., Rds On mín.)

1.5V, 4.5V

Rds On (máx.) en Id, Vgs

990mOhm a 100mA, 4.5V

Empaque y entrega

Unidades de venta

Artículo individual

Tamaño del paquete

1X1X1 cm

Peso bruto

0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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