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Original 6-LDFN Exposed Pad Transistors Components Electronic A3G26D055N-2400

Sin reseñas
EUR16650
100-3,099 unidades
EUR8325
≥3,100 unidades
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Características

A3G26D055N-2400

Características principales

Número de Modelo

A3G26D055N-2400

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

FETs, MOSFETs

Package / Case

6-LDFN Exposed Pad

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Características clave

Número de Modelo
A3G26D055N-2400
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
6-LDFN Exposed Pad
Description
RF GAN AMPLIFIER 48V 6DFN
Package
Bulk
Technology
GaN
Configuration
-
Frequency
100MHz ~ 2.69GHz
Gain
13.9dB

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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