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MOSFET SiC Original C3M0065100K, 1000V, 65mOhm, 35A, TO-247-4, Configuración Individual

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Atributos

C3M0065100KNúmero de Modelo
TRANSISTORTipo
Agujero de labranzaTipo de paquete
SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4LDescripción
ChinaLugar del origen
TO-247-4PAQUETE/cubierta
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie:C3M
d/c:15V
Uso:Industrial
Tipo de Proveedor:Agencia
Los medios disponibles:Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.):35A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):35 nC @ 15 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:78mOhm @ 20A, 15V
Corriente de colector de corte (Max):35A (Tc)
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:3.5V @ 5mA
Poder-Max:113.5 W
-Frecuencia de transición:5011 pF
Tipo de Montaje:A través del agujero
FET tipo:MOSFETs
FET característica:Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss):C3M0065100K
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:C3M0065100K
Rds (Max) @ Id Vgs:C3M0065100K
Vgs (th) (Max) @ Id:C3M0065100K
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:C3M0065100K
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):660 pF @ 600 V
Frecuencia:C3M0065100K
Corriente nominal (en amperios):C3M0065100K
Ruido:C3M0015065K
Potencia de salida:C3M0065100K
-Tensión nominal:C3M0065100K
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):C3M0065100K
Vgs (Max):C3M0065100K
Tipo IGBT de:C3M0065100K
Configuración:SOLO
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:C3M0065100K
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:C3M0065100K
De entrada:C3M0065100K
Termistor NTC:C3M0065100K
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):C3M0065100K
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):C3M0065100K
Corriente de drenaje (Id).:C3M0065100K
-Tensión de corte (VGS) @ Id:C3M0065100K
Resistencia-On (RDS):C3M0065100K
Tensión de salida-salida:C3M0065100K
-Tensión Offset (Vt):C3M0065100K
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):C3M0065100K
Corriente de Valle Iv):C3M0065100K
Corriente de pico:C3M0065100K
Tipo de Transistor:SiC MOSFETs
Tipo de montaje:A través del agujero
Type:Field-Effect Transistor
Package / Case:TO-220-3
Series:STripFE
D/C:Newest
Payment:Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Package:Reel
Configuration:Single
Product Name:Transistor IC Electronic Component
Shipping BY:DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Service:Bom List

Características clave

Número de Modelo
C3M0065100K
Tipo
TRANSISTOR
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Descripción
SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-247-4
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
C3M
d/c
15V
Uso
Industrial
Tipo de Proveedor
Agencia
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.)
35A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
35 nC @ 15 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
78mOhm @ 20A, 15V
Corriente de colector de corte (Max)
35A (Tc)
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
3.5V @ 5mA
Poder-Max
113.5 W
-Frecuencia de transición
5011 pF
Tipo de Montaje
A través del agujero
FET tipo
MOSFETs
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
C3M0065100K
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
C3M0065100K
Rds (Max) @ Id Vgs
C3M0065100K
Vgs (th) (Max) @ Id
C3M0065100K
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
C3M0065100K
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
660 pF @ 600 V
Frecuencia
C3M0065100K
Corriente nominal (en amperios)
C3M0065100K
Ruido
C3M0015065K
Potencia de salida
C3M0065100K
-Tensión nominal
C3M0065100K
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
C3M0065100K
Vgs (Max)
C3M0065100K
Tipo IGBT de
C3M0065100K
Configuración
SOLO
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
C3M0065100K
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
C3M0065100K
De entrada
C3M0065100K
Termistor NTC
C3M0065100K
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
C3M0065100K
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
C3M0065100K
Corriente de drenaje (Id).
C3M0065100K
-Tensión de corte (VGS) @ Id
C3M0065100K
Resistencia-On (RDS)
C3M0065100K
Tensión de salida-salida
C3M0065100K
-Tensión Offset (Vt)
C3M0065100K
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
C3M0065100K
Corriente de Valle Iv)
C3M0065100K
Corriente de pico
C3M0065100K
Tipo de Transistor
SiC MOSFETs
Tipo de montaje
A través del agujero
Type
Field-Effect Transistor
Package / Case
TO-220-3
Series
STripFE
D/C
Newest
Payment
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Package
Reel
Configuration
Single
Product Name
Transistor IC Electronic Component
Shipping BY
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Service
Bom List

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