Componentes Originales Electrónicos MB85R8M2TPBS-M-JAE1 48 VFBGA Memoria
Sin reseñas
Atributos
FRAM (RAM Ferroeléctrica)La tecnología
No volátilTipo de memoria
512K por 16Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación:1,8 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:150 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
FRAM (RAM Ferroeléctrica)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
512K por 16
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación
1,8 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
150 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3,000 unidades
EUR 1251
>= 3,001 unidades
EUR 626
Variantes
ElegirEspecificación
MB85R8M2TPBS M JAE1
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