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Componentes Originales Electrónicos R1LP0108ESN-5SR # Memoria B0 32 SOlC

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Atributos

Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 MbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Asíncrono
-Tensión de alimentación:4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:128K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:55 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
1 Mbit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
A granel
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados Electrónicos
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SRAM - Asíncrono
-Tensión de alimentación
4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
128K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
55 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
60 - 3059 unidades
EUR 216
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