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Módulo de Memoria Original DS1270W-100IND 36 DIP, Compre Componentes Electrónicos en Línea

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Características

Características principales

Número de Modelo

DS1270W-100IND

Tipo de montaje

A través del agujero

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

Memoria

Empaque

Módulo DIP 36 (0,610", 15,49 mm)

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DS1270W-100IND
Tipo de montaje
A través del agujero
Lugar del origen
China
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Memoria
Empaque
Módulo DIP 36 (0,610", 15,49 mm)
Serie
Memoria
describir
IC NVSRAM 16MBIT PARALELO 36EDIP
Organización de Memoria
2M por 8
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
100 nanos

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Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
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0.100 kg

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