Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Accesorios para Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Asíncrono
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:512 mil x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:55 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
